Das chemische Ätzverfahren (etching steel) wird verwendet, wenn man Vertiefungen in die Oberfläche von organischen oder anorganischen Materialien einbringen will. Als Ätzmittel kommen, welche das zu verändernde Medium oxydieren oder in einer anderen chemischen Reaktion verändern. In der Regel werden dafür Säuren oder starke Oxidantien verwendet.

Es gibt verschiedene Ätzverfahren, die stetig weiterentwickelt werden und für verschiedene Anwendungsbereiche geeignet sind. Beim Trockenätzen handelt es sich um einen Prozess der im gasförmigem Plasma erfolgt. Der Ätzabtrag erfolgt durch Teilchen, die im Gasplasma erzeugt werden. Dieses Verfahren wird vor allem in der Halbleiterindustrie angewandt. Das Endprodukt sind in der Regel Silicium-Wafer aus denen später Computerchips geschnitten werden. Das Trockenätzen ist ein anisotropischen Ätzvorgang. Beim physikalischen Ätzen - auch Sputterätzen genannt – werden Edelgasionen genutzt. Es ist ein rein physikalischer Vorgang, da hier keine chemische Reaktion erfolgt.

Beim chemischen Ätzen wird das Plasma vom Wafer ferngehalten und die Ätzwirkung durch freie Radikale erzeugt. Bei diesem Prozess müssen zwei Voraussetzungen erfüllt werden. Das Reaktionsprodukt muss beim Prozessbeginn flüchtig sein und die Lebensdauer des freien Radikal muss lang genug sein, um die Wegstrecke vom Plasma zum zu bearbeitenden Medium überwinden zu können. Der Ätzprozess bei diesem Verfahren ist isotrop bzw. richtungsabhängig, da die Ätzwirkung auf chemischen Weg stattfindet.

Beim chemisch-physikalischen Ätzen wird der Ätzprozess erst durch kinetische Energie beim Auftreffen der Ionen ausgelöst. Aus dem Gasion und dem Schichtmolekül entsteht ein flüchtiges Ätzprodukt. Dieser Ätzprozess ist anisotrop, also richtungsunabhängig. Die verschiedenen Verfahren werden stetig weiterentwickelt und verbessert, so dass sie für immer verschiedene Einsatzbereiche genutzt werden können. Das chemische Ätzverfahren wird heute auch sehr oft im Fotobereich genutzt.